本发明提供了一种材料,其包括:由通式(1)表示的具有至少一个碱溶性基团的含硅聚合物;和可以溶解所述含硅聚合物的有机溶剂,(SiO
1.一种抗蚀覆盖膜形成材料,其包括:由通式(2)表示的含硅聚合物,和可以溶解所述含硅聚合物的有机溶剂,ntent="drawing" img-format="tif" inline="no" orientation="portrait" wi="700"/>通式(2),其中“a”、“b”、“b′”和“c”代表其单元的相对比例,且a>0、b>0、b′>0和c≥0。
2.根据权利要求1所述的材料,其中所述有机溶剂是具有3个或以上碳原子的脂肪族烷醇。
3.制造电子器件的方法,其包括:在工件表面形成抗蚀膜,使用抗蚀覆盖膜形成材料在抗蚀膜上形成抗蚀覆盖膜,通过液浸曝光,使曝光光源透过抗蚀覆盖膜照射抗蚀膜,使抗蚀膜显影形成抗蚀图案,通过使用抗蚀图案作为掩模进行蚀刻使工件表面图案化,其中所述抗蚀覆盖膜形成材料为权利要求1-2中任一项所述的材料。
4.根据权利要求3所述的制造电子器件的方法,其中所述抗蚀覆盖膜的厚度为10nm~300nm。
5.根据权利要求3所述的制造电子器件的方法,其中所述抗蚀覆盖膜通过涂覆形成。
6.根据权利要求3所述的制造电子器件的方法,其中所述显影是使用碱性显影剂进行的。
7.根据权利要求3所述的制造电子器件的方法,其中所述液浸曝光中使用的液体的折射率大于1。
8.根据权利要求7所述的制造电子器件的方法,其中所述液体为水。
9.根据权利要求3所述的制造电子器件的方法,其中所述曝光光源是波长为193nm的ArF受激准分子激光和波长为157nm的F2受激准分子激光中的至少一种。
10.根据权利要求3所述的制造电子器件的方法,其中,当厚度为100nm时,所述抗蚀覆盖膜的曝光光源透射率为30%或以上。
11.根据权利要求3所述的制造电子器件的方法,其中,当厚度为100nm时,所述抗蚀覆盖膜的曝光光源透射率为80%或以上。
12.根据权利要求3所述的制造电子器件的方法,其中所述抗蚀覆盖膜在2.38%TMAH中25°C下的溶解速率为100nm/sec或以上。
13.根据权利要求3所述的制造电子器件的方法,其中所述抗蚀覆盖膜对曝光光源的折射率为1.4或以上。
14.根据权利要求3所述的制造电子器件的方法,其中所述工件表面是由介电常数为2.7或以下的层间绝缘材料制成的膜的表面。相关申请的交叉引用本申请是基于并且要求2006年8月30日提交的第2006-234182号在先日本专利申请的优先权,并且通过引用的方式将其全部内容并入本文。技术领域
本发明涉及抗蚀覆盖膜形成材料,其可适用于制造具有高ArF受激准分子激光和/或F₂受激准分子激光透射率的液浸曝光(immersionxa0exposure)用的抗蚀覆盖膜,以在液浸曝光技术使用的介质(液体)中保护抗蚀膜,通过在曝光设备的物镜与晶片之间充满折射率(n)大于1(空气的折射率)的介质,使实现改善的分辨率的目的;本发明还涉及抗蚀图案的形成方法;和电子器件及其制造方法。
背景技术
近年来,半导体集成电路被高度的集成,且最小线宽已被小型化到100nm或更小。通过例如包括以下步骤的常规方法获得精细的图案:用抗蚀膜覆盖薄膜沉积处理过的工件表面,选择性地使抗蚀膜曝光,使抗蚀膜显影从而形成抗蚀图案,然后用抗蚀图案作为掩模进行干蚀刻,并除去抗蚀图案使在工件上形成所需的图案。为了形成更精细的图案,使得到高分辨率图案,需要缩短曝光光源的波长,以及开发具有适于曝光光源特征的抗蚀材料。然而,由于开发成本高,改进曝光设备以缩短曝光光源的波长面对极大的困难。近年来,波长为193nm的ArF(氟化氩)受激准分子激光广泛地用作为新一代曝光光源,取代常规波长为248nm的KrF(氟化氪)受激准分子激光。因此,ArF受激准分子激光的曝光设备在目前市场上有售;然而其价格仍然相当昂贵。另外,可适用于短波长曝光光源的抗蚀材料的开发并不容易,因此还没有此类抗蚀材料的供应。由于这些原因,难以利用常规的抗蚀图案形成方法得到更精细的图案。液浸曝光技术作为最新的曝光技术成了人们注意的焦点。利用液浸曝光技术,可通过在步进曝光机(stepper)的物镜和晶片之间充满折射率大于1(空气的折射率)的介质(液体)得到提高的分辨率。步进曝光机的分辨率一般可以由此方程式表示,“分辨率=k(工艺因子)xλ(波长)/NA(数值孔径)”;波长越短,物镜的NA越大,分辨率就越高。NA可以由“NA=nxsinα”得到,其中“n”是曝光光源穿过介质时介质的折射率,且“α”是由曝光光源形成的最大入射角。由于在常规的图案形成方法中,曝光步骤是在空气中进行的,所以介质的折射率是1。但是,在液浸曝光技术中,在物镜和晶片之间使用折射率大于1的液体。因此,只要“α”为常数,增加NA的方程式中的“n”可由此将最小分辨率减少“n”倍。而且,当NA为常数时,可以将“α”减少,并且可以将焦距深度(DOF)增加“n”倍。这种使用比空气的折射率大的液体的液浸技术在显微镜领域中是已知的技术,但是,此技术在精加工技术中的应用,仅在于提供一种曝光设备,其中在物镜(lens)与晶片之间放置液体,该液体的折射率基本上等于或稍微小于物镜折射率(参见日本专利申请(JP-A)第62-065326号)。由于仅仅在最近几年中人们才开始尝试在精细加工技术中应用液浸技术,目前的情况是液浸曝光设备和液浸曝光设备所用的抗蚀材料的问题逐渐显现出来。上述问题之一在于,将抗蚀膜暴露于填充在物镜和晶片之间缝隙的液体(例如水),抗蚀膜在曝光期间产生的酸性成分会释放到液体中,导致光刻胶(resist)灵敏度变差。另外,在渗透了水(water-infiltrated)的抗蚀膜在受激准分子激光下曝光时,会发生某些化学反应,其可损害抗蚀膜(resist)的固有性能,并且通过脱气污染物镜。镜头上的污物是个问题,因为其会导致曝光失败和分辨力变差。虽然已经考虑过在抗蚀膜的顶部表面形成抗蚀覆盖膜的方法以克服这些问题,但是这个方法也在形成抗蚀覆盖膜而不溶解抗蚀膜且不引起抗蚀覆盖膜与抗蚀膜混合方面遇到困难。另外,波长为193nm的ArF受激准分子激光和波长为157nm的F2受激准分子激光(后者的波长远比ArF受激准分子激光短)均不能穿透一般的有机材料。因此,可用于抗蚀覆盖膜的材料的选择范围是极窄的。即使得到了这样的材料,该材料不能溶解在一般的碱性显影剂中。因此,在显影前需要使用特别为抗蚀覆盖膜设计的除去剂除去抗蚀覆盖膜。另外,最重要的还需要确保能够避免不必要的抗蚀剂成分在曝光介质中的洗脱(elution)。因此,目前仍然没有开发出能够用于制造液浸曝光的抗蚀覆盖膜的材料,所述抗蚀覆盖膜能够在抗蚀膜上形成而不会溶解在抗蚀膜中,且其能够防止抗蚀膜成分在充满于曝光设备的物镜和晶片之间的缝隙的高折射率液体中洗脱和防止液体向到抗蚀膜中渗透,且所述抗蚀覆盖膜可以轻易地除去;其不损害固有抗蚀性能,且对于ArF和F₂受激准分子激光具有高透射率。而且,采用这样的材料的相关技术还没有开发出来。因此,人们希望开发出这种技术。本发明的目的是克服上述常见问题并实现下述目的。也就是,本发明的目的在于提供一种抗蚀覆盖膜形成材料,其可适用于制造液浸曝光抗蚀覆盖膜,用于在液浸曝光技术使用的介质中保护抗蚀膜,所述介质具有高ArF受激准分子激光和/或F₂受激准分子激光透射率,所述液浸曝光技术通过在曝光设备的物镜和晶片之间的缝隙充满折射率(n)大于1(空气的折射率)的介质使分辨率得以改进。本发明的另一目的在于提供抗蚀图案的形成方法,使得以实现有效和轻易地形成精细和分辨率高的抗蚀图案的目的,所述方法可以通过在液体中保护抗蚀膜,在不损害抗蚀膜的性能的同时防止在镜头上形成污物来进行高分辨率液浸曝光。本发明的又一目的在于提供电子器件的制造方法,所述方法可以通过液浸曝光(而不损害抗蚀膜的性能)形成精细且分辨率高的抗蚀图案,还可以有效地大规模生产高性能电子器件,其具有由抗蚀图案形成的精细互联图案的,本发明还提供一种高性能电子器件,例如半导体期间,其具有精细的互联图案,且由此制造方法制得。
发明内容
本发明的发明人广泛地进行研究以解决前述问题,并且已经有了以下发现:在液浸曝光技术中,使用包含至少一个具有碱溶性基团的含硅聚合物和可以溶解所述含硅聚合物的有机溶剂的材料提供抗蚀覆盖膜,所述抗蚀覆盖膜可以在抗蚀膜上形成而不会溶解抗蚀膜,可以防止抗蚀膜成分在填充曝光设备的物镜和晶片之间的高折射率液体中洗脱,并防止所述液体向抗蚀膜中渗透,且所述抗蚀覆盖膜可以轻易地除去;所述抗蚀覆盖膜不会损害固有的抗蚀性能;且具有高ArF和F₂受激准分子激光透射率。本发明是基于上述发现,解决上述问题的方法在附上的权利要求中给予了描述。本发明的材料包括由通式(1)表示的具有至少一个碱溶性基团的含硅聚合物;和可以溶解所述含硅聚合物的有机溶剂,其中所述抗蚀覆盖膜形成材料是用于形成在抗蚀膜经受液浸曝光时覆盖抗蚀膜的抗蚀覆盖膜。因此,使用这种抗蚀覆盖膜形成材料形成的抗蚀覆盖膜有效地保护抗蚀膜对抗填充在物镜和晶片之间缝隙中的高折射率液体,防止抗蚀膜成分在该液体中洗脱并防所述液体向抗蚀膜中渗透,所述抗蚀覆盖膜不会损害固有的抗蚀性能,且其具有高ArF和F₂受激准分子激光透射率,且可以轻易地除去。(SiO_4/2)_a(R1_tSiO_(4-t)/2)_b(O_1/2R2)_cxa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0通式(1)其中R¹代表单价有机基团,氢原子和羟基中的至少一个,R²代表单价有机基团和氢原子中的至少一个(其中R¹和R²可以各自出现两次或以上,且R¹和R²中至少一个含有碱溶性基团),“t”代表1~3的整数,“a”、“b,”和“c”代表其单元的相对比例(其中a≥0、b≥0、c≥0,且“a”、“b”和“c”不同时为0),且(R¹_tSiO_(4-t)/2)_b可以出现两次或以上。本发明的抗蚀图案形成方法包括:在工件表面上形成抗蚀膜;采用本发明的材料在抗蚀膜上形成抗蚀覆盖膜,通过进行液浸曝光,使曝光光源穿透抗蚀覆盖膜照射抗蚀膜;并使抗蚀膜显影。在此抗蚀图案形成方法中,在工件表面上形成抗蚀膜,然后采用本发明的材料在抗蚀膜上形成抗蚀覆盖膜。由于抗蚀覆盖膜是由本发明的材料所形成的,抗蚀覆盖膜可以在抗蚀膜上形成而不溶解抗蚀膜。然后,通过进行液浸曝光,使曝光光源穿透抗蚀覆盖膜照射抗蚀膜,从而使抗蚀膜曝光。由于抗蚀覆盖膜是由本发明的材料所形成的,可以避免抗蚀膜成分在充满于物镜和晶片之间缝隙的高折射率液体中洗脱和避免液体向抗蚀膜中渗透,因而使能够进行图案化而不损害固有的抗蚀性能。另外,所制得的抗蚀覆盖膜对于ArF受激准分子激光和/或F₂受激准分子激光具有高透射性,因此能够进行高分辨率曝光。在后续的显影中,可以使用一般显影剂轻易地除去抗蚀覆盖膜,因而能够与抗蚀膜一起除去。因此,可以容易地并且有效地形成抗蚀图案。由于可以在不损害抗蚀膜的性能的同时进行高分辨率曝光,因此所制得的抗蚀图案具有精细的高分辨率图案。本发明制造电子器件的方法包括:在工件表面上形成抗蚀膜;采用本发明的材料在抗蚀膜上形成抗蚀覆盖膜;通过进行液浸曝光,使曝光光源穿透抗蚀覆盖膜照射抗蚀膜;使抗蚀膜显影形成抗蚀图案;并使用抗蚀图案作为掩模通过蚀刻在工件表面进行图案化。在这个方法中,首先在待给予图案(例如互连图案)的工件表面上形成抗蚀图案,然后采用本发明的材料在抗蚀膜上形成抗蚀覆盖膜。由于抗蚀覆盖膜是由本发明的材料所形成的,抗蚀覆盖膜可以在抗蚀膜上形成而不溶解抗蚀膜。然后通过进行液浸曝光,使曝光光源穿透抗蚀覆盖膜照射抗蚀膜,从而使抗蚀膜曝光。由于抗蚀覆盖膜是由本发明的材料所形成的,可以避免抗蚀膜成分在充满于物镜和晶片之间缝隙的高折射率液体中洗脱和避免液体向抗蚀膜中渗透,因而使能够进行图案化而不损害固有的抗蚀性能。另外,所制得的抗蚀覆盖膜对于ArF受激准分子激光和/或F₂受激准分子激光具有高透射性,因此使能够进行高分辨率曝光。在后续的显影中,可以使用一般显影剂轻易地除去抗蚀覆盖膜,因而能够与抗蚀膜一起除去。因此,可以容易地并且有效地形成抗蚀图案。由于可以在不损害抗蚀膜的性能的同时进行高分辨率曝光,因此所制得的抗蚀图案具有精细的高分辨率图案。下一步,通过使用在上述的抗蚀图案形成步骤中形成的抗蚀图案将工件表面蚀刻,使在工件表面上形成精细的高分辨率图案。因此,能够制造高质素的高效电子器件,例如半导体器件,其具有高精密制备的高度精细的高分辨率图案(例如互连图案)。本发明的电子器件是通过本发明制造电子器件的方法来制造的。本发明的电子器件,例如半导体器件,具有高精密制备的高度精细的高分辨率图案(例如互连图案)。
附图说明
图1是用于说明本发明的抗蚀图案形成方法的一个实例的示意图,显示了形成抗蚀覆盖膜的状态。图2是用于说明本发明的抗蚀图案形成方法的一个实例的示意图,显示了液浸曝光设备的一个实例。图3是图2所示的液浸曝光设备的局部放大图。图4是用于说明本发明的抗蚀图案形成方法的一个实例的示意图,显示了使用抗蚀覆盖膜进行液浸曝光后显影后的状态。图5是用于说明本发明用于制造电子器件的方法的一个实例的示意图,显示了在硅衬底上形成层间介绝缘膜的状态。图6是用于说明本发明用于制造电子器件的方法的一个实例的示意图,显示了在图5所示的层间绝缘膜上形成钛膜的状态。图7是用于说明本发明用于制造电子器件的方法的一个实例的示意图,显示了在钛膜上形成抗蚀膜并在钛膜上形成孔图案的状态。图8是用于说明本发明用于制造电子器件的方法的一个实例的示意图,显示了在层间绝缘膜中形成孔图案的状态。图9是用于说明本发明用于制造电子器件的方法的一个实例的示意图,显示了在形成了孔图案的层间绝缘膜上形成Cu膜的状态。图10是用于说明本发明用于制造电子器件的方法的一个实例的示意图,显示了除孔图案以外,从层间绝缘膜上除去Cu的状态。图11是用于说明本发明用于制造电子器件的方法的一个实例的示意图,显示了在形成于孔图案中的Cu塞和层间绝缘膜上形成另一层间绝缘膜的状态。图12是用于说明本发明用于制造电子器件的方法的一个实例的示意图,显示了在层间绝缘膜上部形成孔图案,然后在其中形成Cu塞的状态。图13是用于说明本发明用于制造电子器件的方法的一个实例的示意图,显示了形成三层结构互连的状态。图14是用于说明通过本发明用于制造电子器件的方法制造的FLASHEPROM的第一个实例的平面图。图15是用于说明通过本发明用于制造电子器件的方法制造的FLASHEPROM的第一个实例的另一平面图。图16是用于说明用本发明用于制造电子器件的方法制造的FLASHEPROM的第一个实例的示意图。图17是用于说明用本发明用于制造电子器件的方法制造的FLASHEPROM的第一实例的示意图,显示了图16所示步骤之后的步骤。图18是用于说明用本发明用于制造电子器件的方法制造的FLASHEPROM的第一实例的示意图,显示了图17所示步骤之后的步骤。图19是用于说明用本发明用于制造电子器件的方法制造的FLASHEPROM的第一实例的示意图,显示了图18所示步骤之后的步骤。图20是用于说明用本发明用于制造电子器件的方法制造的FLASHEPROM的第一实例的示意图,显示了图19所示步骤之后的步骤。图21是用于说明用本发明用于制造电子器件的方法制造的FLASHEPROM的第一实例的示意图,显示了图20所示步骤之后的步骤。图22是用于说明用本发明用于制造电子器件的方法制造的FLASHEPROM的第一实例的示意图,显示了图21所示步骤之后的步骤。图23是用于说明用本发明用于制造电子器件的方法制造的FLASHEPROM的第一实例的示意图,显示了图22所示步骤之后的步骤。图24是用于说明用本发明用于制造电子器件的方法制造的FLASHEPROM的第一实例的示意图,显示了图23所示步骤之后的步骤。图25是用于说明用本发明用于制造电子器件的方法制造的FLASHEPROM的第二实例的示意图。图26是用于说明用本发明用于制造电子器件的方法制造的FLASHEPROM的第二实例的示意图,显示了图25所示步骤之后的步骤。图27是用于说明用本发明用于制造电子器件的方法制造的FLASHEPROM的第二实例的示意图,显示了图26所示步骤之后的步骤。图28是用于说明用本发明用于制造电子器件的方法制造的FLASHEPROM的第三实例的示意图。图29是用于说明用本发明用于制造电子器件的方法制造的FLASHEPROM的第三实例的示意图,显示了图28所示步骤之后的步骤。图30是用于说明用本发明用于制造电子器件的方法制造的FLASHEPROM的第三实例的示意图,显示了图29所示步骤之后的步骤。图31是用于说明通过用本发明的抗蚀覆盖膜形成材料进行液浸曝光所形成的抗蚀图案用于制造磁头的一个实例的截面示意图。图32是用于说明通过用本发明的抗蚀覆盖膜形成材料进行液浸曝光所形成的抗蚀图案用于制造磁头的一个实例的截面示意图,显示了图31所示步骤之后的步骤。图33是用于说明通过用本发明的抗蚀覆盖膜形成材料进行液浸曝光所形成的抗蚀图案用于制造磁头的一个实例的截面示意图,显示了图32所示步骤之后的步骤。图34是用于说明通过用本发明的抗蚀覆盖膜形成材料进行液浸曝光所形成的抗蚀图案用于制造磁头的一个实例的截面示意图,显示了图33所示步骤之后的步骤。图35是用于说明通过用本发明的抗蚀覆盖膜形成材料进行液浸曝光所形成的抗蚀图案用于制造磁头的一个实例的截面示意图,显示了图34所示步骤之后的步骤。图36是用于说明通过用本发明的抗蚀覆盖膜形成材料进行液浸曝光所形成的抗蚀图案用于制造磁头的一个实例的截面示意图,显示了图35所示步骤之后的步骤。图37是用于说明通过用本发明的抗蚀覆盖膜形成材料进行液浸曝光所形成的抗蚀图案用于制造磁头的一个实例的截面示意图,显示了图36所示步骤之后的步骤。图38是用于说明通过用本发明的抗蚀覆盖膜形成材料进行液浸曝光所形成的抗蚀图案用于制造磁头的一个实例的截面示意图,显示了图37所示步骤之后的步骤。图39是用于说明通过用本发明的抗蚀覆盖膜形成材料进行液浸曝光所形成的抗蚀图案用于制造磁头的一个实例的截面示意图,显示了图38所示步骤之后的步骤。图40是用于说明通过用本发明的抗蚀覆盖膜形成材料进行液浸曝光所形成的抗蚀图案用于制造磁头的一个实例的截面示意图,显示了图39所示步骤之后的步骤。图41是用于说明通过图31至图40显示的步骤所制造的磁头的一个实例的平面图。发明详述(抗蚀覆盖膜形成材料)本发明的抗蚀覆盖膜形成材料包含至少一种具有至少一个碱溶性基团的含硅聚合物和有机溶剂,并且进一步包括依照需要适当地选择的附加成分。使用抗蚀覆盖膜形成材料形成的抗蚀覆盖膜不受特别限制,条件是只要其是碱溶性的,且在碱性显影剂中具有高溶解度;例如,其在2.38%(按重量计算)四甲基氢氧化铵(TMAH)水溶液中25°C下的溶解速率优选为30nm/sec或以上,更优选100nm/sec或以上,最优选200nm/sec或以上。另外,溶解速率的上限优选为10,000nm/sec,更优选2,000nm/sec。如果抗蚀覆盖膜是碱溶性的,可以于显影时通过将其溶解在碱性显影剂容易地将其与抗蚀膜一起除去。溶解速率的测量方法不受特别限制,其可以从本领域已知的方法中适当地选择。例如,利用激光束干涉的溶解速率监视器(DRM)或利用晶体微天平石英晶体微天平(QCM)基于频率的变化测量质量变化。由于抗蚀覆盖膜在碱性介质中具有高溶解度,QCM是更优选的,因为其可以进行高度精密的测量。另外,如下所述,优选进行液浸曝光的同时使用大于1的液浸介质(液体)。因此,由抗蚀覆盖膜形成材料形成的抗蚀覆盖膜对于曝光光源的折射率优选大于1,更优选为1.4或以上。因为折射率小于液浸介质(液体)的折射率会导致成像失败。-含硅聚合物-要求含硅聚合物具有硅原子和至少一个碱溶性基团,且为通式(1)表示的聚合物。通过使其骨架结构含有硅原子,其吸收ArF受激准分子激光(波长=193nm)或F₂受激准分子激光(波长=157nm)的能力会变得比一般的有机材料低。因此,当在抗蚀膜上形成含有这种含硅聚合物的抗蚀覆盖膜,并使其暴露在任何这些激光下时,激光会穿透抗蚀覆盖膜并且生成抗蚀图案。同时,含硅聚合物本身是高度疏水聚合物,因此具有远低于一般有机材料的水渗透性。在本发明的抗蚀覆盖膜形成材料中使用的含硅聚合物(通过赋予其亲水性而得到)溶解在抗蚀显影剂(一种强碱性介质)中,但是提供低水溶性和低水渗透性。因此,该含硅聚合物适用于制造抗蚀覆盖膜,其可以防止抗蚀膜的酸洗脱和防止由于液体渗透到抗蚀膜而出现副反应。(SiO_4/2)_a(R1_tSiO_(4-t)/2)_b(O_1/2R2)_cxa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0通式(1)其中R¹代表单价有机基团、氢原子和羟基中的至少一个,R²代表单价有机基团和氢原子中的至少一个(其中R¹和R²可以各自出现两次或以上,且R¹和R²中至少一个含有碱溶性基团),“t”代表1~3的整数,“a,”“b,”和“c”代表其单元的相对比例(其中a≥0,b≥0和c≥0,且“a,”“b,”和“c”不同时为0),且(R¹_tSiO_(4-t)/2)_b可以出现两次或以上。通式(1)还包括由通式(2)表示的化合物,其中(R¹_tSiO_(4-t)/2)_b单元出现两次或以上。ntent="drawing" img-format="tif" wi="700"/>xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0通式(2)碱溶性基团不受特别限制,其可根据预期的目的而适当地选择;实例包括含羧酸的基团、含苯酚的基团和含六氟甲醇的基团(hexafluorocarbinol-containingxa0groups)。其中,优选含羧酸的基团,因为其与可以施用ArF受激准分子激光的抗蚀材料中使用的丙烯酸聚合物中存在的碱溶性基团相同,还因为含有含羧酸的基团作为碱溶性基团的抗蚀覆盖膜可完全溶解在碱性显影剂中,且在显影时与抗蚀膜一起被除去,不会引起任何膜分离或产生不显影部分。含羧酸的基团不受特别限制,其可根据预期的目的适当地选择,条件是只要其具有羧酸基团作为其一部分。为了便于制备含硅聚合物并具有优异的碱溶性,含羧酸的基团优选是由通式(3)表示的部分:ntent="drawing" img-format="tif" wi="527"/>xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0通式(3)其中“m”满足0≤m≤5的条件,优选1<m≤3的条件。在通式(1)中由R¹和R²表示的非碱溶性基团的单价有机基团不受特别限制,其可根据预期的目的适当地选择;这样的单价有机基团的实例包括烷基,烷氧基、甲酰基、羰基、烷氧羰基、和被烷氧基、甲酰基、羰基和/或烷氧羰基取代的烷基。这些单价有机基团优选由1~10个碳原子形成。这是因为含硅聚合物的玻璃转化温度(Tg)随着碳链长度的增加(即碳原子数增加)而降低。这样,可导致无法得到抗蚀覆盖膜。还需要注意的是,可以出现两个或以上的上述单价有机基团。所述含硅聚合物的合适的实例是具有羧酸的含硅聚合物,其由通式(2)表示。ntent="drawing" img-format="tif" wi="700"/>xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0通式(2)其中“a”、“b”、“b′”和“c”代表其单元的相对比例,且a>0,b>0,b′>0和c≥0。具有至少一个前述碱溶性基团的含硅聚合物的重均分子量不受特别限制,其可根据预期的目的适当地选择;例如,按照等当量的聚苯乙烯的分子量,重均分子量优选为1,000~1,000,000,更优选为2,000~100,000。小于1,000的重均分子量会导致耐热性差,而大于1,000,000的重均分子量会导致涂覆性差。重均分子量可以通过例如凝胶渗透色谱(GPC)测量,其为一种液相色谱,根据分子尺寸不同而分离。具有至少一个碱溶性基团的含硅聚合物在抗蚀覆盖膜形成材料中的含量不受特别限制,其可根据预期的目的适当地选择;例如,含量优选0.1wt%~20wt%,更优选1wt%~5wt%。含量小于0.1wt%可导致成膜性差(例如,生成气孔),而大于20wt%的含量可导致对于曝光光源的低透射率,导致抗蚀膜曝光时的低分辨率。-有机溶剂-有机溶剂不受特别限制,其可根据预期的目的适当地选择,条件是只要有机溶剂可以溶解含硅的聚合物;但优选不溶解抗蚀膜的有机溶剂。例如优选具有3个或以上碳原子的脂肪族烷醇,更优选具有4个或以上碳原子的脂肪族烷醇。如果有机溶剂的碳原子数是2或以下时,含硅的聚合物的溶解度会降低。具有3个或以上碳原子的脂肪族烷醇不受特别限制,其可根据预期的目的适当地选择;合适的实例包括正丁醇和异丁醇。这些脂肪族烷醇中可以单独使用或者组合使用。抗蚀覆盖膜形成材料中的有机溶剂的含量不受特别限制,其可根居预期的目的适当地选择。-附加成分-附加成分不受特别限制,其可根据预期的目的适当地选择,条件是只要对本发明的效果没有不良的影响;其实例包括各种已知的添加剂。例如,在打算增加涂覆性质时,可以添加表面活性剂。表面活性剂不受特别限制,其可根据预期的目的在非离子表面活性剂、阳离子表面活性剂、阴离子表面活性剂和两性表面活性剂中适当地选择。其中,由于不含金属离子,优选非离子表面活性剂。非离子表面活性剂的合适的实例包括烷氧基化物表面活性剂、脂肪酸酯表面活性剂、酰胺表面活性剂、醇表面活性剂和乙二胺表面活性剂;具体实例包括聚氧乙烯-聚氧丙烯缩聚物、聚氧化烯烷基醚、聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯衍生物、失水山梨醇脂肪酸酯、甘油脂肪酸酯、伯醇乙氧基化物、苯酚乙氧基化物、壬基酚乙氧基化物、辛基酚乙氧基化物、月桂醇乙氧基化物、油醇乙氧基化物、脂肪酸酯、酰胺、天然醇、乙二胺和仲醇乙氧基化物。阳离子表面活性剂不受特别限制,其可根据预期的使用适当地选择;其实例包括烷基阳离子表面活性剂、酰胺型季铵阳离子表面活性剂和酯型季铵阳离子表面活性剂。两性表面活性剂不受特别限制,其可根据预期的使用适当地选择,其实例包括氧化胺表面活性剂和甜菜碱表面活性剂。抗蚀覆盖膜形成材料中的表面活性剂含量可以根据具有碱溶性基团的含硅聚合物的类型和含量等适当地选择。-应用等-优选使用本发明的抗蚀覆盖膜形成材料涂覆在抗蚀膜上,且其涂覆方法不受特别限制,其可根据预期的目的适当地选择;例如,使用旋涂法。当在抗蚀膜上涂覆抗蚀覆盖膜形成材料时,在抗蚀膜上形成覆盖膜。由于抗蚀覆盖膜形成材料包括的是含硅聚合物和可以溶解含硅聚合物的有机溶剂,因而不会在形成覆盖膜的同时引起抗蚀膜的溶解。另外,由于含硅聚合物是骨架结构上含有硅原子的聚合物,其吸收193nm波长的ArF受激准分子激光和157nm波长的F₂受激准分子激光的能力较一般有机材料低。因此,当在抗蚀膜上涂覆抗蚀覆盖膜,然后在该曝光光源下进行曝光时,仍可以形成抗蚀图案。而且,由于含硅聚合物具有碱溶性基团,其可以溶解在碱性显影剂中,因此通过将抗蚀覆盖膜和抗蚀膜溶解在碱性显影剂中可以将抗蚀覆盖膜与抗蚀膜一起除去。当厚度为100nm时,抗蚀覆盖膜对于曝光光源的透射率优选为30%或以上,更优选50%或以上,最优选80%或以上。曝光光源的透射率小于30%会导致无法得到精细的高分辨率抗蚀图案,因为由于光透射率差而无法对抗蚀膜进行高分辨性曝光。曝光光源不受特别限制,其可根据预期的目的适当地选择;实例包括KrF受激准分子激光、ArF受激准分子激光和F₂受激准分子激光。其中,考虑到其短波长和形成高分辨率抗蚀图案的能力,优选ArF受激准分子激光(波长=193nm)和F₂受激准分子激光(波长=157nm)。-抗蚀膜形成材料-前述的抗蚀膜(用本发明的抗蚀覆盖膜形成材料所涂覆的抗蚀膜)所用的材料不受特别限制,其可根据预期的目的从已知的抗蚀材料中选择;其可以是负抗蚀剂或正抗蚀剂。例如,合适的实例是分别使用KrF受激准分子激光、ArF受激准分子激光和F₂受激准分子激光进行图案化的KrF抗蚀剂、ArF抗蚀剂和F₂抗蚀剂。这些抗蚀材料可以是化学放大型抗蚀剂或非化学放大型抗蚀剂。其中,KrF抗蚀剂、ArF抗蚀剂和包含丙烯酸类树脂的抗蚀剂是优选的;而且,在有需要提高抗蚀剂的分辨率限度时,更优选的是ArF抗蚀剂和包含丙烯酸类树脂的抗蚀剂,以便提供更精细的图案化和改善生产量,。抗蚀膜材料的具体例包括酚醛清漆抗蚀剂、PHS抗蚀剂、丙烯酸类抗蚀剂、环烯-马来酸酐(COMA)抗蚀剂、环烯抗蚀剂和例如脂环族丙烯酸-COMA共聚物的混合抗蚀剂。这些抗蚀材料可通过氟进行修饰。抗蚀膜的形成工艺、尺寸、厚度等都不受特别限制,其可根据预期的使用适当地选择。具体而言,尽管厚度可以根据工件表面的类型、蚀刻条件等适当地选择,其厚度通常约为0.2μm至200μm。本发明的抗蚀覆盖膜形成材料适用于形成在液浸曝光技术中使与充满于曝光设备的物镜和晶片之间缝隙的低折射率的液体对抗的抗蚀膜得到保护的抗蚀覆盖膜。本发明的抗蚀覆盖膜形成材料适用于本发明的抗蚀图案形成方法和本发明用于制造电子器件的方法。本发明用于液浸曝光的抗蚀覆盖膜形成材料以下列方式使用:通过在工件表面上涂覆第一抗蚀剂组合物(例如由丙烯酸聚合物形成的ArF抗蚀剂组合物)在工件表面形成抗蚀层,在抗蚀层上涂覆本发明的抗蚀覆盖膜形成材料形成抗蚀覆盖层,通过在例如ArF受激准分子激光下曝光将抗蚀层图案化,使用2.38%水性TMAH使两层显影形成抗蚀图案。(抗蚀图案形成方法)本发明的抗蚀图案形成方法包括在工件表面上形成抗蚀膜,采用本发明的抗蚀覆盖膜形成材料在抗蚀膜上形成抗蚀覆盖膜,通过进行液浸曝光,使曝光光源穿透抗蚀覆盖膜照射抗蚀膜,使抗蚀膜显影,并进一步包括根据需要适当选择的附加步骤。(抗蚀膜形成步骤)抗蚀膜形成步骤是在工件表面上形成抗蚀膜的步骤。抗蚀膜材料的合适的实例是在上述对本发明的抗蚀覆盖膜形成材料描述的那些材料。抗蚀膜可以用已知的方法形成,例如涂覆法。工件表面不受特别限制,其可根据预期的目的适当地选择。当抗蚀膜是用于制造电子器件,例如半导体器件时,半导体衬底的表面可以作为工件表面的例子。合适的实例包括例如硅片的衬底表面和各种氧化物膜的表面。(抗蚀覆盖膜的形成步骤)抗蚀覆盖膜的形成步骤是采用本发明的抗蚀覆盖膜形成材料在抗蚀膜上形成抗蚀覆盖膜的步骤。优选用涂覆法形成抗蚀覆盖膜,且涂覆法不受特别限制,其可从已知的涂覆法中适当地选择。例如,优选使用旋涂法等。当使用旋涂法时,优选如下的旋涂条件:转速为例如大约100rpm至10,000rpm,更优选为800rpm至5,000rpm;旋涂时间为例如约1秒至10分钟,更优选为1秒至90秒。通过涂覆法形成的抗蚀覆盖膜的厚度不受特别限制,其可根据预期的目的适当地设定;例如,厚度优选为10nm至300nm,更优选为50nm至150nm。如果厚度小于10nm,会出现例如生成针孔的缺陷,而如果厚度大于300nm,对ArF受激准分子激光和F₂受激准分子激光的透射性会降低,因而降低分辨率和/或曝光敏感度。优选在涂覆期间或之后对抗蚀覆盖膜形成材料进行烘焙(即,加热和干燥),且只要抗蚀膜没有软化,烘焙的条件和方法等都不受特别限制;烘焙温度优选约为40°C至150°C,更优选为80°C至120°C,烘焙时间优选约为10秒至5分钟,更优选为30秒至120秒。(液浸曝光步骤)液浸曝光的步骤是通过液浸曝光,使曝光光源穿透抗蚀覆盖膜照射抗蚀膜的步骤。可使用已知的液浸曝光设备适当地进行液浸曝光,使曝光光源穿透抗蚀覆盖膜照射抗蚀膜。在这个步骤中,抗蚀膜的部分区域选择性暴露在曝光光源下并且固化,在随后的显影步骤中(见下述)中除去抗蚀膜的未固化部分。从而形成抗蚀图案。在液浸曝光步骤中使用,并且填充在步进曝光机的物镜和晶片之间缝隙的液体不受特别限制,其可根据预期的目的适当地选择;但是,为了得到高分辨率,优选采用折射率大于空气折射率(即为1)的液体。折射率大于1的液体不受特别限制,其可根据预期的目的适当地选择;更高的折射是更优选的。这样的液体的合适的实例是油、甘油和醇。但是,最优选纯水(折射率=1.44)。曝光光源不受特别限制,其可根据预期的目的适当地选择。优选短波长的那些光源。例如,KrF受激准分子激光(波长=248nm),ArF受激准分子激光(波长=193nm),F₂受激准分子激光(波长=157nm)等。其中,为了获得高分辨率抗蚀图案,优选ArF受激准分子激光和F₂受激准分子激光。另外,对于待加工的衬底,可以使用任何可以通过如电子器件(例如半导体器件)制造中的光刻形成更精细图案的衬底。(显影步骤)显影步骤是除去抗蚀膜的未固化部分的步骤以形成抗蚀图案,所述抗蚀膜已经进行了前述曝光步骤。除去未固化部分的方法不受特别限制,其可根据预期的目的适当地选择;例如,使用显影剂的显影方法。显影剂不受特别限制,其可根据预期的使用适当地选择;然而,因为由本发明的抗蚀覆盖膜形成材料形成的抗蚀覆盖膜可以与抗蚀膜未固化的部分一起除去,因此优选碱性显影剂。使用这样的碱性显影剂的显影步骤使抗蚀覆盖膜与抗蚀膜未曝光的部分一起除去。由此形成(显示出)抗蚀图案。在下文中,将参照附图说明本发明的抗蚀图案形成方法的一个实例。如图1所示,将抗蚀形成材料施加到工件衬底1表面上以形成抗蚀膜2后,将抗蚀覆盖膜形成材料施加到抗蚀膜2的表面,然后进行烘焙(即,加热以及干燥)形成抗蚀覆盖膜3。然后,采用图2所示的液浸曝光设备5,使工件衬底1上设置的抗蚀膜2和抗蚀覆盖膜3在曝光光源下曝光。图2是液浸曝光设备的一个实例的示意图。液浸曝光设备5包括一个步进曝光机(具有物镜6的连晒曝光设备)和晶片台7。配置晶片台7从而可以在其上安装工件衬底1,且设置物镜6使介质(液体)8填充在物镜6和晶片台7上的衬底1之间的缝隙。步进曝光机的分辨率取决于下面的方程式(1)表示的瑞利判据(Rayleighxa0criterion);曝光光源波长越短,且物镜6的数值孔径(NA)越大,步进曝光机的分辨率就越高。分辨率=k(定比)xλ(光的波长)/NA(数值孔径)......方程式(1)图2中X部分的放大示意图显示在图3。在图3中,“n”表示曝光光源穿过的介质(液体)8的折射率,和“θ”表示曝光光源的入射角。在一般的曝光方法中,曝光光源穿过的介质是空气,其折射率“n”是1,因此物镜(缩小透镜)6的最大数值孔径(NA)理论上小于1.0;实际上,最大的NA约为0.9(θ=65°)。同时,液浸曝光设备5使用折射率大于1的液体作为介质8。因此,“n”增加,且在曝光光源的入射角“θ”为常数的情况下,最小分辨率可以减少n倍;且在NA为常数的情况下,可以减少“θ”值,因此聚焦深度可以增加n倍。例如,当光源是ArF激光,当使用纯水作为介质8时,介质8的折射率“n”是1.44。因此,NA可以增加至1.44倍,由此使得以形成更加精细的图案。工件衬底1安装在液浸曝光设备5的晶片台7上,用曝光光源(例如为ArF受激准分子激光)透过抗蚀覆盖膜3以图案的方式使抗蚀膜2进行曝光。然后,如图4所示,进行碱性显影步骤,使抗蚀覆盖膜3和抗蚀膜2没有暴露在ArF受激准分子激光下的部分进行显影,在工件衬底1上形成或显示出抗蚀图案4。应注意,上述方法仅是本发明的抗蚀图案形成方法的一个实例,其中,使用的是可适于ArF受激准分子激光的正型抗蚀材料。因此,曝光光源和抗蚀材料之间的组合绝不仅限于上面所述,其可根据预期的目的适当地选择。根据本发明的抗蚀图案形成的方法,可在抗蚀膜上进行高分辨率液浸曝光,同时使其在液体中有效地得到保护而不损害其功能,因而使能够有效地,容易地形成精细的高分辨率抗蚀图案。因此,本发明的抗蚀图案形成方法可以适用于制造功能元件(例如掩模图案、网状图案、磁头、液晶显示器(LCD)、等离子体显示板(PDP)和表面声波(SAW)滤波器);用于连接光学布线的光学元件;微元件(例如微观激励器);和电子器件(如半导体器件),特别是在本发明制造电子器件的方法中。(制造电子器件的方法)本发明用于制造电子器件的方法包括至少抗蚀图形成步骤和图案化步骤,以及进一步包括根据不同需要所选择的附加步骤。(抗蚀图形成步骤)抗蚀图案形成步骤包括在工件表面形成抗蚀膜,采用本发明的抗蚀覆盖膜形成材料在抗蚀膜上形成抗蚀覆盖膜,通过进行液浸曝光,使曝光光源透过抗蚀覆盖膜照射抗蚀膜,并使抗蚀膜显影。在此步骤中,在工件表面上形成抗蚀图案。抗蚀图案形成方法的详细说明与前述本发明的抗蚀图案形成方法相同。工件表面的实例是组成例如半导体器件等的电子器件的各种元件的表层。然而,合适的实例是衬底(例如硅晶片)或其表面,以及各种氧化膜或其表面。对于工件表面,优选介电常数为2.7或以下的层间绝缘材料制成的膜表面。由介电常数为2.7或以下的层间绝缘材料制成的这些膜的合适的实例包括低介电常数膜,例如多孔硅膜和氟化树脂膜。液浸曝光法和抗蚀图案的说明也如上所述。(图案化步骤)图案化步骤是通过使用抗蚀图案作为掩模(作为掩模图案等)进行蚀刻使工件表面图案化的步骤。蚀刻方法不受特别限制,其可根据预期的使用在本领域已知的方法中适当地选择;例如,干蚀刻是适用的。蚀刻条件也不受特别限制,其可根据预期的目的适当地选择。根据本发明用于制造电子器件的方法,可以对抗蚀膜进行高分辨率液浸曝光而不损害其功能,且能够有效地和容易地形成精细的高分辨率抗蚀图案。因而使能够大规模生产具有精细的互连图案的高性能电子器件,例如是包括各种半导体器件,如闪存、DRAM和FRAM的电子器件,所述互连图案是使用抗蚀图案形成的。实施例在下文中,将说明本发明的实施例,然而,本发明并不限于公开的实施例。(实施例1)<抗蚀覆盖膜形成材料的制备>将由通式(4)表示的含硅聚合物溶解在n-丁醇或异丁醇中制备用于液浸曝光的抗蚀覆盖膜形成材料(1)。ntent="drawing" img-format="tif" wi="700"/>xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0通式(4)其中a=1.2,b=1,b′=0.45,且c=0.08<抗蚀图案的形成>将用于ArF受激准分子激光的由脂环族聚合物制成的抗蚀材料样品涂到硅衬底上,形成厚度为250nm的抗蚀膜。接着,用旋涂法在2,500rpm/30s的条件下将抗蚀覆盖膜形成材料(1)涂覆到抗蚀膜上,然后,在110°C的电热板上烘焙60秒,形成厚度为50nm的液浸曝光抗蚀覆盖膜。这样,制备出样品(1)。用液浸曝光设备透过抗蚀覆盖膜使抗蚀膜进行曝光。应注意,使用水作为液浸曝光的介质,使用ArF受激准分子激光(193nm波长)作为曝光光源。抗蚀覆盖膜对ArF受激准分子激光的透射率为93%,折射率为1.61。然而,应注意,所述透射率是厚度为100nm的抗蚀覆盖膜的值,其适用于后面的实施例和说明。之后,对抗蚀覆盖膜和抗蚀膜进行显影,使用2.38%(按重量计算)TMAH水溶液溶解和除去抗蚀覆盖膜和抗蚀膜的未曝光部分。因此,用33mJ/cm²的曝光剂量成功地获得宽度为180nm的线/间隔图案和直径为180nm的孔图案。这里,抗蚀覆盖膜在2.38%(按重量计算)TMAH水溶液中的溶解速率为750nm/s。(实施例2)<抗蚀覆盖膜形成材料的制备>将由通式(2)表示的含硅聚合物溶解在n-丁醇或异丁醇中制备用于液浸曝光的抗蚀覆盖膜形成材料(2)。ntent="drawing" img-format="tif" wi="700"/>xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0通式(2)其中a=1,b=0.88,b′=0.39,且c=0.05<抗蚀图案的形成>将用于ArF受激准分子激光的由脂环族聚合物制成的抗蚀材料样品涂到硅衬底上,形成厚度为250nm的抗蚀膜。接着,用旋涂法在2,500rpm/30s的条件下将抗蚀覆盖膜形成材料(2)涂覆到抗蚀膜上,然后,在110°C的电热板上烘焙60秒,形成厚度为50nm的液浸曝光抗蚀覆盖膜。这样,制备出样品(2)。用液浸曝光设备透过抗蚀覆盖膜使抗蚀膜曝光。应注意,使用水作为液浸曝光的介质,使用ArF受激准分子激光(193nm波长)作为曝光光源。抗蚀覆盖膜对ArF受激准分子激光的透射率为93%,折射率为1.58。之后,对抗蚀覆盖膜和抗蚀膜进行显影,使用2.38%(按重量计算)TMAH水溶液溶解和除去抗蚀覆盖膜和抗蚀膜的未曝光部分。因此,用33mJ/cm²的曝光剂量成功地获得宽度为180nm的线/间隔图案和直径为180nm的孔图案。这里,抗蚀覆盖膜在2.38%(按重量计算)TMAH水溶液中的溶解速率为900nm/s。(实施例3)<抗蚀覆盖膜形成材料的制备>将由通式(5)表示的含硅聚合物溶解在n-丁醇或异丁醇中制备用于液浸曝光的抗蚀覆盖膜形成材料(3)。ntent="drawing" img-format="tif" wi="700"/>xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0通式(5)其中b=1,且b′=0.11<抗蚀图案的形成>将用于ArF受激准分子激光的由脂环族聚合物制成的抗蚀材料样品涂到硅衬底上,形成厚度为250nm的抗蚀膜。接着,用旋涂法在2,500rpm/30s的条件下将抗蚀覆盖膜形成材料(3)涂覆到抗蚀膜上,然后,在110°C的电热板上烘焙60秒,形成厚度为50nm的液浸曝光抗蚀覆盖膜。这样,制备出样品(3)。用液浸曝光设备透过抗蚀覆盖膜使抗蚀膜曝光。应注意,使用水作为液浸曝光的介质,使用ArF受激准分子激光(193nm波长)作为曝光光源。抗蚀覆盖膜对ArF受激准分子激光的透射率为92%,折射率为1.61。之后,对抗蚀覆盖膜和抗蚀膜进行显影,使用2.38%(按重量计算)TMAH水溶液溶解和除去抗蚀覆盖膜和抗蚀膜的未曝光部分。因此,用33mJ/cm²的曝光剂量得到了宽度为180nm的线/间隔图案和直径为180nm的孔图案。这里,抗蚀覆盖膜在2.38%(按重量计算)TMAH水溶液中的溶解速率为630nm/s。(对照试验1~3)如实施例1~3般,通过在硅衬底上形成抗蚀膜并且在其上形成抗蚀覆盖膜而制备出3个抗蚀膜样品。并如实施例1~3般将抗蚀膜样品暴露在ArF受激准分子激光下并显影,不同在于使用空气代替水作为液浸曝光介质。用33mJ/cm²的曝光剂量成功获得宽度为180nm的线/间隔图案和直径为180nm的孔图案。由对照试验确定出使用抗蚀覆盖膜形成材料(1)~(3)形成的抗蚀覆盖膜成功地减小液浸曝光引起的问题的影响,例如抗蚀膜成分在水(液浸曝光介质)中的洗脱和水向抗蚀膜中的渗透,使能够进行图案化而不损害其固有的抗蚀性能。(对照实验4)如实施例1~3制备抗蚀膜,不同的是不在其上形成抗蚀覆盖膜,并如实施例1~3将抗蚀膜暴露在ArF受激准分子激光下并显影,不同在于使用空气代替水作为液浸曝光介质。用33mJ/cm²的曝光剂量成功地获得宽度为180nm的线/间隔图案和直径为180nm的孔图案。由对照试验4确定出,抗蚀覆盖膜形成材料(1)~(3)全部都是可以成功接纳ArF受激准分子激光且能够进行曝光而不损害固有的抗蚀性能的覆盖膜形成材料。(比较例1)如实施例1~3般制备抗蚀膜,不同的是不在其上形成抗蚀覆盖膜,并将抗蚀膜暴露在ArF受激准分子激光下,然后显影。用33mJ/cm²的曝光剂量无法得到宽度为180nm的线/间隔图案和直径为180nm的孔图案,且抗蚀膜对曝光光源的敏感度与实施例1和2相比有所降低。应注意,“无法得到线/间隔图案”意指不能得到线和间隔图案,其中线宽:间隔宽的比例不是1:1。实施例、对照试验和比较例的结果示于表1中。应注意,表1中符号“Y”意指可分辨出;“N”意指不可分辨出;且“L/S”表示“线/间隔”。表1xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0覆盖膜形成材料xa0xa0xa0xa0xa0曝光介质xa0xa0xa0L/S分辨率xa0xa0孔分辨率实施例1xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0覆盖膜形成材料(1)xa0xa0水xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0Yxa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0Y实施例2xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0覆盖膜形成材料(2)xa0xa0水xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0Yxa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0Y实施例3xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0覆盖膜形成材料(3)xa0xa0水xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0Yxa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0Y对照试验1xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0覆盖膜形成材料(1)xa0xa0空气xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0Yxa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0Y参考实验2xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0覆盖膜形成材料(2)xa0xa0空气xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0Yxa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0Y对照试验3xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0覆盖膜形成材料(3)xa0xa0空气xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0Yxa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0Y对照试验4xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0不设置xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0空气xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0Yxa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0Y比较例1xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0不设置xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0水xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0N(不是1:xa0xa0N(无孔)xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa01分辨率)(实施例4)<抗蚀覆盖膜形成材料的制备>将由通式(6)表示的含硅聚合物溶解在异丁醇中制备用于液浸曝光的抗蚀覆盖膜形成材料(4).ntent="drawing" img-format="tif" wi="700"/>xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0xa0通式(6)其中a=1,b=0.55,b′=0.11,且c=0.06<抗蚀图案的形成>将用于ArF受激准分子激光的由脂环族聚合物制成的抗蚀材料样品涂到硅衬底上,形成厚度为250nm的抗蚀膜。接着,用旋涂法在2,500rpm/30s的条件下将抗蚀覆盖膜形成材料(4)涂覆到抗蚀膜上,然后,在110°C的电热板上烘焙60秒,形成厚度为50nm的液浸曝光抗蚀覆盖膜。这样,制备出样品(4)。用液浸曝光设备透过抗蚀覆盖膜使抗蚀膜曝光。应注意,使用水作为液浸曝光的介质,使用ArF受激准分子激光(193nm波长)作为曝光光源。抗蚀覆盖膜对ArF受激准分子激光的透射率为83%,折射率为1.65。之后,对抗蚀覆盖膜和抗蚀膜进行显影,使用2.38%(按重量计算)TMAH水溶液溶解和除去抗蚀覆盖膜和抗蚀膜的未曝光部分。因此,用33mJ/cm²的曝光剂量成功莸得宽度为180nm的线/间隔图案和直径为180nm的孔图案。这里,抗蚀覆盖膜在2.38%(按重量计算)TMAH水溶液中的溶解速率为500nm/s。(实施例5)<抗蚀覆盖膜形成材料的制备>将由通式(7)表示的含硅聚合物溶解在异丁醇中制备用于液浸曝光的抗蚀覆盖膜形成材料(5).ntent="drawing" img-format="tif" wi="700"/>通式(7)其中a=1,b=0.61,b′=0.22,且c=0.03<抗蚀图案的形成>将用于ArF受激准分子激光的由脂环族聚合物制成的抗蚀材料样品涂到硅衬底上,形成厚度为250nm的抗蚀膜。接着,用旋涂法在2,500rpm/30s的条件下将抗蚀覆盖膜形成材料(5)涂覆到抗蚀膜上,然后,在110°C的电热板上烘焙60秒,形成厚度为50nm的液浸曝光抗蚀覆盖膜。这样,制备出样品(5)。用液浸曝光设备透过抗蚀覆盖膜使抗蚀膜曝光。应注意,使用水作为液浸曝光的介质,使用ArF受激准分子激光(193nm波长)作为曝光光源。抗蚀覆盖膜对ArF受激准分子激光的透射率为93%,折射率为1.60。之后,对抗蚀覆盖膜和抗蚀膜进行显影,使用2.38%(按重量计算)TMAH水溶液溶解和除去抗蚀覆盖膜和抗蚀膜的未曝光部分。因此,用33mJ/cm²的曝光剂量成功获得宽度为180nm的线/间隔图案和直径为180nm的孔图案。这里,抗蚀覆盖膜在2.38%(按重量计算)TMAH水溶液中的溶解速率为450nm/s。(对照试验4和5)如实施例4和5般,通过在硅衬底上形成抗蚀膜并且在其上形成抗蚀覆盖膜而制备出2个抗蚀膜样品。并如实施例4和5将抗蚀膜样品暴露在ArF受激准分子激光下并显影,不同在于使用空气代替水作为液浸曝光介质。用33mJ/cm²的曝光剂量成功地在每个样品中获得宽度为180nm的线/间隔图案和直径为180nm的孔图案。(实施例6)将用于ArF受激准分子激光的由脂环族聚合物制成的抗蚀材料样品涂到6-英寸的预先在其上形成了抗反射膜(自Nissanxa0Chemicalxa0Industries,Ltd.的ARC-39)的硅晶片(Shin-Etsuxa0Chemicalxa0Co.,Ltd.)上。所形成的抗蚀膜在100°C的温度下烘焙60秒。抗蚀膜的厚度为200nm。用5ml超纯水清洗抗蚀膜得到样品溶液。使用LC-MSD(AgilentTechnologies)分析5μl溶液样品,显示从抗蚀膜洗脱出110ppb酸生成剂的负离子。然后,用旋涂法将实施例2所制的抗蚀覆盖膜形成材料(2)涂覆到抗蚀膜上,并在110°C的电热板上烘焙60秒,形成厚度为50nm的液浸曝光用抗蚀覆盖膜。使用超纯水对抗蚀膜进行类似的清洗实验。确定从抗蚀膜洗脱的酸生成剂的负离子的水平低于检测限,且因此抗蚀覆盖膜形成材料(2)具有优异的防止负离子从抗蚀膜洗脱的能力。(实施例7)制备涂有用于ArF受激准分子激光的由脂环族聚合物制成的抗蚀材料样品的样品和涂有抗蚀覆盖膜形成材料(2)的样品。使用自制测量装置测量每个样品的后退接触角(recedingxa0contactxa0angle,动态接触角(dynamiccontactxa0angle))。更具体地,将涂有样品的Si晶片牢固在可连续调整倾斜角的倾斜台上,然后在样品表面施用一滴(50μl)水。施用水滴后,立刻以恒定速度使倾斜台倾斜,并基于液滴开始移动后一段时间观察到的液滴的形状测量后退接触角。涂有抗蚀材料样品的后退接触角为61°,涂有抗蚀覆盖膜形成材料(2)的样品的后退接触角为80°。结果确定出抗蚀覆盖膜形成材料(2)是有效减小出现水印缺陷并提高曝光扫描速度的材料。(实施例8)如图5中所示,在硅衬底11上形成层间绝缘膜12,如图6所示,在层间绝缘膜12上用溅射法形成钛膜13。如图7所示,通过采用已知光刻法的液浸曝光形成抗蚀图案14,并利用抗蚀图案14作为掩膜,通过反应离子刻蚀将钛膜13图案化,由此在其中形成开口15a。随后用反应离子刻蚀除去抗蚀图案14,同时如图8所示,用钛膜13作为掩膜在层间绝缘膜12中形成开口15b。然后用湿法除去钛膜13,并如图9中所示,用溅射法在层间绝缘膜12上形成TiN膜16。用电镀法在TiN薄膜16上沉积出Cu膜17。如图10中所示,用CMP除去Cu膜17(第一金属膜)和阻挡金属层,同时保留与开口15b(见图8)相对应的槽部分中的Cu膜17和阻挡金属层。这样,形成第一互连层17a。然后如图11中所示,在第一互连层17a上形成层间绝缘膜18后,用与图5至图10中所示相同的方式形成如图12所示的Cu塞(第二金属膜)19和TiN膜16a,这两者用于将第一互连层17a连接到将要在上面形成的另一互连层。通过重复上述各相应步骤,如图13所示,制造出具有多层互联结构半导体器件,该多层互联结构具有在硅衬底11上的第一互连层17a、第二互连层20、和第三互连层21。应注意,在图13中未示出形成在各互连层底部的阻挡金属层。实施例8的抗蚀图案14是由与实施例1-5相似的方法制备的抗蚀图案,其中在进行液浸曝光时使用抗蚀覆盖膜形成材料(2)。层间绝缘膜12是介电常数为2.7或更小的低介电常数膜;其实例包括多孔硅膜(自Catalystsxa0&xa0Chemicalsxa0Co.,Ltd.的“Ceramatexa0NCS”,介电常数=2.25);和通过RF-CVD将C₄F₈和C₂H₂的混合物气体或C₄F₈气体源沉积制备的氟碳膜(介电常数=2.4)(功率=400W)。(实施例9)-闪存及其制造-实施例9显示本发明用于制造电子器件的方法的一个实施例,该方法使用了本发明的抗蚀覆盖膜形成材料。应注意,在实施例9中,抗蚀膜26、27、29和32是用与实施例1~5相似的方法使用本发明的抗蚀覆盖膜形成材料制备的抗蚀膜。图14和图15是被称为FLOTOX型或ETOX型的FLASHxa0EPROM的俯视图(平面图)。图16至图24是说明FLASHxa0EPROM的制造方法的一个实例的截面示意图。图16至图24中各自的左侧视图所显示的是存储单元部分(第一元件区域),显示将要形成具有浮栅电极的MOS晶体管的部分的截面示意图,其为沿着栅极宽度方向(图14和图15中的X方向)的A-A线的截面示意图;中部视图所显示的是与左侧视图所显示的对应的存储单元部分,显示沿着与X方向垂直的栅极长度方向(图14和图15中的Y方向)的B-B线的截面示意图;右侧视图是外电路部分(第二元件区域)中将要形成MOS晶体管的部分的截面示意图,所述截面示意图沿图14和图15中的线A-A得到。首先,如图16所示,在p型Si衬底22的元件隔离区中的选取部分上形成由SiO₂膜形成的场氧化膜23。接着,在存储单元部分(第一元件区域)内,在MOS晶体管中通过热氧化形成SiO₂膜,以形成ntent="drawing" img-format="tif" wi="129"/>~ntent="drawing" img-format="tif" wi="141"/>(10nm~30nm)厚的第一栅极绝缘膜24a。在另一步骤中,在外电路部分(第二元件区域)中,在MOS晶体管中通过热氧化形成SiO₂膜,以形成ntent="drawing" img-format="tif" wi="129"/>~ntent="drawing" img-format="tif" wi="141"/>(10nm~50nm)厚的第二栅极绝缘膜24b。在第一栅极绝缘膜24a和第二栅极绝缘膜24b具有相同厚度的例子中,这些氧化膜可以在同一步骤中同时形成。为了在存储单元部分(图16中的左侧和中部视图)中形成具有n型耗尽型沟道的MOS晶体管,用抗蚀膜26掩蔽外电路部分(图16中的右侧视图)以控制阈值电压。通过离子注入,在1×10¹¹cm^-2到1×10¹⁴cm^-2剂量下,将位于浮栅电极正下方的区域(即,将成为沟道区域的区域)与作为n型杂质的磷(P)或砷(As)进行掺杂(doped),从而产生第一阈值控制层25a。应注意,根据沟道的类型,即耗尽型或堆积型(accumulationxa0type),可适当地选择掺杂浓度和导电类型。为了在外电路部分(图17中的右侧视图)中形成具有n型耗尽型沟道的MOS晶体管,用抗蚀膜27掩蔽存储单元部分(图17中的左侧和中部视图)以控制阈值电压。通过离子注入,在为1×10¹¹cm^-2到1×10¹⁴cm^-2剂量下,将位于栅电极正下方的区域(即,将成为沟道区域的区域)与作为n型杂质的磷(P)或砷(As)进行掺杂,从而产生第二阈值控制层25b。于存储单元部分(图18中的左侧和中部视图)和外电路部分(图18中的右侧视图)形成厚度为ntent="drawing" img-format="tif" wi="141"/>至ntent="drawing" img-format="tif" wi="188"/>(50nm至200nm)的第一多晶硅膜(第一导电膜)28,以作为存储单元部分中的MOS晶体管的浮栅电极和外电路部分中的MOS晶体管的栅电极之用。随后,如图19所示,用抗蚀膜29作为掩模将第一多晶硅膜28图案化,从而在存储单元部分(图19中的左侧和中部视图)中形成MOS晶体管的浮栅电极28a。此时,如图19所示,第一多晶硅膜28被图案化,其中仅对在X方向的浮栅电极28a的最终尺寸进行定义,而没有确定其在Y方向的尺寸,且用蚀膜29覆盖将成为S/D区域的区域。接下来,如图20中的左侧和中部视图,除去抗蚀膜29,通过热氧化形成厚度为大约ntent="drawing" img-format="tif" wi="141"/>至ntent="drawing" img-format="tif" wi="141"/>(20nm至50nm)由SiO₂膜形成的电容绝缘膜30a,从而覆盖浮栅电极28a。此时,由SiO₂膜形成的电容绝缘膜30b也在外电路部分中的第一多晶硅膜28上(图20中的右侧视图)形成。尽管在某些情况中,电容绝缘膜30a和30b两者仅由SiO₂膜形成,但它们也可以由具有二层或三层SiO₂膜和/或Si₃N₄膜相互叠加的复合膜形成。如图20所示,形成了厚度为ntent="drawing" img-format="tif" wi="141"/>至ntent="drawing" img-format="tif" wi="188"/>(50nm至200nm)其将组成控制栅电极的第二多晶硅膜(第二导电膜)31,从而覆盖浮栅电极28a和电容绝缘膜30a。如图21所示,用抗蚀膜32掩蔽存储单元部分(图21中的左侧和中部视图),通过蚀刻依次除去外电路部分(图21中的右侧视图)中的第二多晶硅膜31和电容绝缘膜30b,展现出第一多晶硅膜28。接下来,如图22所示,抗蚀膜32作为掩模,将所有安排在存储单元部分中(图22中的中部和左侧视图)的第二多晶硅膜31、电容绝缘膜30a和第一多晶硅膜28a图案化,从而对在Y方向的第一栅极部分33a的最终尺寸进行定义,其中第一多晶硅膜28a仅在X方向上定义最终尺寸,因此,形成由控制栅电极31a、电容绝缘膜30c和浮栅电极28c组成的层压体,其在Y方向的尺寸大约为1μm。同时,用抗蚀膜32掩蔽外电路部分(图22中的右侧视图)中的第一多晶硅膜28图案,并进行图案化,从而定义第二栅极部分33b的最终尺寸,形成大约1μm宽的栅电极28b。使用设置在存储单元部分(图23中的左侧和中部视图)中的由控制栅电极31a、电容绝缘膜30c和浮栅电极28c组成的层压体作为掩模,通过离子注入在1×10¹⁴cm^-2至1×10¹⁶cm^-2的剂量下,使硅衬底22与磷(P)或砷(As)进行掺杂,在元件形成区域形成n型S/D区域层35a和35b。同时,使用外电路部分(图23中的右侧视图)中的栅电极28b作为掩模,通过离子注入在1×10¹⁴cm^-2至1×1016cm^-2的剂量下,使硅衬底22与作为n型杂质的磷(P)或砷(As)进行掺杂,在元件形成区域形成S/D区域层36a和36b。形成大约ntent="drawing" img-format="tif" wi="200"/>(500nm)厚的PSG膜作为层间绝缘膜37,从而覆盖存储单元部分(图24中的左侧和中部视图)中的第一栅极部分33a和外电路部分(图24中的右侧视图)中的第二栅极部分33b。在S/D区域层35a、35b、36a和36b上形成的层间绝缘膜37中分别形成接触孔38a、38b、39a和39b。然后,在其中形成S/D电极40a、40b、41a和41b。这样,如图24所示,制成作为半导体器件的FLASHxa0EPROM。在该FLASHxa0EPROM的制造中,外电路部分(图16至图24中的右侧视图)中的第二栅极绝缘膜24b自其形成开始之后一直被第一多晶硅膜28或栅电极28b覆盖(图16至图24中的右侧视图)。因此,第二栅极绝缘膜24b的厚度自其形成开始保持不变,使容易地控制第二栅极绝缘膜24b的厚度,并且使容易地调节导电杂质的浓度,以控制阈值电压。在上述实施例中,尽管首先进行图案化,使栅极宽度方向(图14和图15中的X方向)的第一栅极部分33a定义为某些尺寸,然后定义栅极长度方向(图14和图15中的Y方向),从而形成第一栅极部分33a,但也可以以相反的顺序进行图案化;首先将栅极长度方向的第一栅极部分33a定义为某些尺寸,然后定义在栅极宽度方向的第一栅极部分33a的最终尺寸,从而形成第一栅极部分33a。图25至图27所示的制造FLASHxa0EPROM的实例与上述实施例中所述的相似,不同在于将图20所对应的步骤之后的步骤改为图25至图27所示的步骤。具体地,图25至图27所示的制造FLASHxa0EPROM的实例与上述实施例不同在于,如图25所示,在存储单元部分(图25中的左侧和中部视图)中的第二多晶硅膜31和外电路部分(图25中的右侧视图)中的第一多晶硅膜28上,形成由钨(W)膜或钛(Ti)膜制成的厚度大约为2,000ntent="drawing" img-format="tif" wi="59"/>(200nm)的高熔点金属膜(第四导电膜)42,从而产生多晶硅硅化物膜。图25所示步骤之后的,即图26和27所示的步骤,与图22至图24中所示的那些步骤相似。省略与图22和图24所示的那些步骤相似的步骤的说明,且图25和图27中与图22和图24所示的元件相同的元件用相同的附图标记。这样,如图27所示,制成作为半导体器件的FLASHxa0EPROM。由于这个FLASHxa0EPROM包括分别置于控制栅电极31a和栅电极28b上的高熔点金属膜(第四导电膜)42a和42b,因此可以进一步减小电阻。虽然使用高熔点金属膜(第四导电膜)42a和42b,但也可以使用高熔点金属硅化物膜,例如硅化钛(TiSi)膜。图28至图30所示的制造FLASHxa0EPROM的实例与上述实施例中所述的相似,不同在于,外电路部分(图30中的右侧视图的第二元件区域)中的第二栅极部分33c是层压体,该层压体由第一多晶硅膜28b(第一导电膜)、SiO₂膜30d(电容绝缘膜)和第二多晶硅膜31b(第二导电膜)组成,与在存储单元部分(图28中的左侧和中部视图中的第一元件区域)的第一栅极部分33a结构相似,以及使第一多晶硅膜28b和第二多晶硅膜31b短路,使形成图29和图30所示的栅电极。这里,如图29所示,在图28所示的第二栅极部分33c以外的位置,例如在绝缘膜54上形成穿透第一多晶硅膜28b(第一导电膜)、SiO₂膜30d(电容绝缘膜)和第二多晶硅膜31b(第二导电膜)的开口52a。然后,将由例如W膜或Ti膜制成的高熔点金属膜53a(第三导电膜)嵌入开口52a,使第一多晶硅膜28b和第二多晶硅膜31b短路。此外,如图30所示,形成穿透SiO₂膜30d(电容绝缘膜)和第二多晶硅膜31b(第二导电膜)的开口52b,从而展现出在开口52b的底部的第一多晶硅膜28b。然后,将由例如W膜或Ti膜制成的高熔点金属膜53b(第三导电膜)嵌入开口52b,使第一多晶硅膜28b和第二多晶硅膜31b短路。在该FLASHxa0EPROM中,外电路部分中的第二栅极部分33c与存储单元部分中的第一栅极部分33a具有相同的结构。因此,能够使存储单元部分与外电路部分一起形成,从而简化制造方法实现更高效率。虽然第三导电膜53a或53b和高熔点金属膜(第四导电膜)42在这里于不同的步骤形成,但是这些膜可以同时形成作为共有高熔点金属膜。(实施例10)-磁头的制造-实施例10涉及磁头的制造,其为使用本发明的抗蚀覆盖膜形成材料形成的抗蚀图案的一个应用实例。应注意,实施例10中的抗蚀图案102和抗蚀图案126是由与上述实施例1~5中所述的相似的方法制备的。图31~34是说明磁头制造的步骤图。如图31所示,在层间绝缘层100上形成6μm厚的抗蚀膜,然后对抗蚀膜进行曝光和显影,以形成具有孔图案的抗蚀图案102,用于形成有涡形图案(scrollxa0pattern)的薄膜磁芯。如图32所示,对由0.01μm厚的Ti粘结膜和0.05μm厚的Cu粘结膜形成的待电镀的工件表面106在抗蚀图案102和抗蚀图案102以外的区域进行气相沉积,即,通过开口104暴露的层间绝缘层100的区域。如图33所示,在工件表面106上开口104中形成由3μm厚的Cu镀层形成的导电薄膜108,(抗蚀图案102以外的区域,即,通过开口104暴露的层间绝缘层100的区域)。如图34所示,然后将抗蚀图案102溶解和显影使除去层间绝缘层100,由此使生成具有衍生自导电薄膜108的涡形图案的薄膜磁芯110。由此制造出磁头。上述得到的磁头具有精细的涡形图案,所述涡形图案是通过液浸曝光使用本发明的抗蚀覆盖膜形成材料的所得的抗蚀图案102制得。因此,薄膜磁芯110具有精细的高分辨率图案,并可以提供优异的大规模生产力。图35~40是说明另一个磁头制造的步骤图。如图35所示,通过溅射在陶瓷非磁性衬底112上沉积间隙层114。虽然没有说明,但通过溅射预先在非磁性衬底112上形成由硅氧化物制成的绝缘膜和由Ni-Fe坡莫合金制成的导电工件表面,而且,预先在其上形成由Ni-Fe坡莫合金制成的低磁性层。然后在间隙层114上于预定位置(与未示出的低磁性层的磁性末端对应的位置以外的位置)形成由热固性树脂制成的树脂绝缘膜116。然后在树脂绝缘膜116上施用抗蚀材料以形成抗蚀膜118。接下来,如图36所示,在抗蚀膜118上进行曝光和显影以形成涡形抗蚀图案,且如图37所示,在几百摄氏度将涡形抗蚀图案118固化1小时以形成凸起的第一涡形图案120,然后于树脂绝缘膜116和第一涡形图案120形成由Cu制成的导电工件表面122。如图38所示,通过旋涂法,将抗蚀材料施用到导电工件表面122上形成抗蚀膜124,然后通过将设置在第一涡形图案120上的抗蚀材料图案化形成抗蚀图案126。如图39所示,Cu导电层128于暴露的导电工件表面122(即抗蚀图案126以外部分)进行电镀。然后,如图40所示,将抗蚀图案126溶解并从导电工件表面122上除去,以形成具有涡形图案,并由Cu导电层128形成的薄膜磁芯130。这样,制造出如平面图41所示的磁头,其中,磁性层132设在树脂绝缘膜116上,且薄膜磁芯130设在树脂绝缘膜116表面。上述得到的磁头具有精细的涡形图案,所述涡形图案是通过液浸曝光使用本发明的抗蚀覆盖膜形成材料所得的抗蚀图案126。因此,薄膜磁芯130具有精细的高分辨率图案,并可以提供优异的大规模生产力。根据本发明,使能够解决传统的问题并且达到上述目的。根据本发明,使能够提供抗蚀覆盖膜形成材料,其可适用于制造液浸曝光抗蚀覆盖膜,用于在液浸曝光技术使用的介质(液体)中保护抗蚀膜,防止液体向抗蚀膜渗透或抗蚀膜成分洗脱到液体中,且所述抗蚀覆盖膜形成材料具有高ArF受激准分子激光和/或F₂受激准分子激光透射率,所述液浸曝光技术通过在曝光设备的物镜和晶片之间的缝隙充满折射率(n)大于1(空气的折射率)的介质(液体)实现分辨率的改进。根据本发明,使还能够提供抗蚀图案形成的方法,该方法可以通过在液体中保护抗蚀膜,防止在镜头上产生污物而不损害抗蚀膜的性能进行高分辨率液浸曝光,以实现有效地和容易地形成精细的高分辨率抗蚀图案。根据本发明,使还能够提供电子器件的制造方法,所述方法可以通过防止在镜头上产生污物而不损害抗蚀膜的性能进行液浸曝光形成精细且高分辨率的抗蚀图案,还可以有效地大规模生产具有使用抗蚀图案形成的精细互联图案的高性能电子器件,本发明还提供高性能电子器件,例如半导体器件,其具有更精细的互联图案,且使用此制造方法制造。本发明的抗蚀覆盖膜形成材料具有高ArF受激准分子激光和/或F₂受激准分子激光透射率。因此,在通过在曝光设备的物镜和晶片之间的缝隙充满折射率(n)大于1(空气的折射率)的介质(液体)实现分辨率的改进的液浸曝光技术中,本发明的抗蚀覆盖膜形成材料可以适用于制造液浸曝光的抗蚀覆盖膜,抗蚀覆盖膜可保护介质中的抗蚀膜。本发明的抗蚀图案形成方法可适用于例如制造功能元件(如掩模图案、网状图案、磁头、液晶显示器(LCD)、等离子体显示板(PDP)和表面声波(SAW)滤波器);用于连接光学布线的光学元件;微元件(如微观激励器等);和电子器件(如半导体器件),特别是在本发明的电子器件制造方法中。本发明的电子器件的制造方法适用于制造本发明的电子器件。本发明的电子器件适用于各种领域中,包括如闪存、DRAM和FRAM的半导体器件。